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インテルとマイクロンテクノロジー、業界初の40nm以下のプロセス技術によるNAND型フラッシュメモリーを開発

ブックマーク ： 掲載日時 ： 2008年05月30日00時00分 タグ ： 開発 . 技術 . 業界初 . インテル

5月30日、インテルコーポレーションはマイクロンテクノロジー社と、業界初となる40nm（ナノメートル）以下のプロセス技術によるNAND型フラッシュメモリーとして、多値セル技術を採用した34nmの32Gビット製品を共同開発したと発表した。

NAND型フラッシュメモリーとは、主にデジタルカメラ用のストレージカードや携帯電話などのファイルストレージデバイスとして内蔵されているフラッシュメモリの一種。

今回新たに開発されたこの34nmの32Gビット製品は、300ミリ・ウエハで製造される計画で、ウエハ一枚当たり1.6テラバイトものNANDフラッシュメモリーが製造されるという。
ダイサイズ（チップ面積）は親指の爪の大きさよりも小さい172平方ミリメートルで、携帯端末にもコスト効率よく大容量のSSDを収容する事が可能になる。

主な特徴は以下から

・一つの32Gビット製品で高解像度の写真を2,000枚以上、もしくは携帯型音楽プレイヤーにこの製品を搭載した場合は1,000曲程度を保存可能。
・8個のダイを積層したパッケージを2枚利用することで容量64Gバイトのストレージを実現でき、デジタル・ビデオカメラに利用した場合、HD映像を8時間から40時間程度まで、録画できるようになる。

また、インテル コーポレーションNAND製品事業部マーケティング担当ディレクターのピート・ヘイズン氏は、この技術に関して以下のように述べている
[[「34nmプロセス技術の発表は、IMFTの急速な進展を示すもので、NAND プロセス技術で最前線に立つことができました。今回の成果により、コンピューティング・プラットフォーム向けソリッド・ステート・ドライブ（SSD）の価値はさらに高まり、その普及が促進されるでしょう」]]

サンプル出荷の開始は今年6月から、量産出荷は2008年後半を予定しているとのこと。

詳細は以下から

□インテル
http://www.intel.co.jp/jp/intel/pr/press2008/080530.htm
□Micron(英文)
http://www.micron.com/about/news/pressrelease.aspx?id=8C1AA993EFA2B68E